پایان نامه رایگان درباره الگوریتم ژنتیک و الگوریتم

دانلود پایان نامه

شکل ‏5 87 – ضریب جذب نرمال و نیمکروی پوشش S51 در محدوده تشعشع خورشبد
به این ترتیب دیده میشود که پوششهایی مانند S51، S52، S54، S58 و S59 با ضرایب جذب نرمال و نیمکروی بالا میتوانند پوششهای مناسبتری باشند.


ضریب جذب ماکزیمم سلولهای خورشیدی لایه نازک
سلولهای خورشیدی لایه نازک به دلیل قیمت پایین (به علت نیاز کمتر به مواد اولیه) در سالهای اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. ولی راندمان این سلولها نسبت به سلولهای خورشیدی معمولی پایینتر است. در این بخش صرفا از دید انتقال حرارت تشعشعی به این سلولها پرداخته شده و هدف ماکزیمم کردن ضریب جذب این سلولها است. ضخامت لایههای دو سلول خورشیدی لایهنازک GaAs/Si [58] و CdTe/Ge [59] متغیر در نظر گرفته شده و ضخامتهای بهینه برای ضریب جذب ماکزیمم محاسبه شده است.
ضخامتهای بهینه در سلول GaAs/Si در بهترین حالت به کمک الگوریتم ژنتیک (شکل 5-99) به صورت 5/16 میکرومتر GaAs و 500 میکرومتر Si بدست آمده است. Asol در این حالت 0.5 بدست امده است. ضمن اینکه برای این سلول ضریب جذب با تغییر ضخامت لایهها تغییرات بسیار کمی خواهد داشت.

شکل ‏5 88 – نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط -Asol در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) برای محاسبه ضخامتهای بهینه سلول خورشیدی لایه نازک GaAs/Si
ضخامتهای بهینه در سلول CdTe/Ge در بهترین حالت به کمک الگوریتم عملیات حرارتی شبیهسازی شده (شکل 5-100) به صورت 3/9 میکرومتر CdTe و 500 میکرومتر Ge بدست آمده است. Asol این ساختار برابر با 0.73 محاسبه شده است.

شکل ‏5 89 – نمودار بهترین مقدار و مقدار جاری -Asol در هر تکرار (الگوریتم عملیات حرارتی شبیهسازی شده) برای محاسبه ضخامتهای بهینه سلول خورشیدی لایه نازک CdTe/Ge
ضریب بازتاب ماکزیمم در محدوده تشعشعی خورشید
با تکرار بخش 5-4 برای ضریب بازتاب ماکزیمم و با در نظر گرفتن یک لایه ضخیم پوشش S64 به صورت یک لایه PbTe با ضخامت 8/1 میلیمتر بدست آمده است. Rsol این پوشش در جهت نرمال برابر با 0.63 و Rsol نیمکروی برابر با 0.74 است.

شکل ‏5 90 – نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط -Rsol در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) منجر به ساختار S64

شکل ‏5 91 – ضریب بازتاب نرمال و نیمکروی پوشش S64 در محدوده تشعشع خورشبد
با اضافه کردن لایههای نازک، هیچ ساختاری با ضریب بازتاب بزرگتر بدست نیامد.
ضریب عبور ماکزیمم در محدوده تشعشعی خورشید
با تکرار بخش 5-4 برای ضریب عبور ماکزیمم و با در نظر گرفتن یک لایه ضخیم پوشش S65 به صورت یک لایه Cubic-ZnS با ضخامت 500 میکرومتر بدست آمده است. Tsol این پوشش در جهت نرمال برابر با 0.7 و Tsol نیمکروی برابر با 0.49 است.

شکل ‏5 92 – نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط -Tsol در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) منجر به ساختار S65

شکل ‏5 93 – ضریب عبور نرمال و نیمکروی پوشش S65 در محدوده تشعشع خورشبد
با اضافه کردن لایههای نازک، هیچ ساختاری با ضریب عبور بزرگتر از 0.4 بدست نیامد.
فصل ششم
فصل پنجم: نتیجه گیری و پیشنهاد