پایان نامه رایگان درباره الگوریتم ژنتیک و بهینه سازی

دانلود پایان نامه

S28 140- 131- 24/0 75/0 01/0
S29 150- 140- 15/0 84/0 01/0
S30 132- 99- 15/0 75/0 1/0
همانطور که از جداول 5-14 و 5-15 دیده میشود با استفاده از S29، T8-13 برای شار نرمال و دیفیوز نسبت به KBr بدون پوشش، به هم نزدیکتر شده اند. درنتیجه این پوشش میتواند در شرایط جغرافیایی و محیطی متنوعتری با حداکثر توان خنککاری عمل کند.
بیشترین کاهش دمای قابل دسترسی با استفاده از این سه پوشش در جدول 5-16 آورده شده است. همانطور که از جدول دیده میشود مینیمم دمای قابل دسترس 27.2 ºC کمتر از محیط است. یعنی 123% افزایش در افت دما نسبت به حالت بدون پوشش. درنتیجه پوشش S29 تا حد بسیار زیادی به پوشش ایدهآل خنککاری در شب نزدیک است.
جدول ‏5 16 – حد اکثر اختلاف دمای منطقه خنککاری و محیط در شب با فرض ε=1
پوشش حد اکثر اختلاف دمای منطقهی خنککاری و محیط در شب (ºC) درصد تغییرات نسبت به حالت بدون پوشش
S28 26- %117
S29 2/27- %123
S30 6/25- %110
جسم سیاه بدون پوشش 2/12- –
آینههای حرارتی
در این بخش مواد Ge، Te، PbTe، PbSe، Cubic-ZnS، SiO2 و BaTiO3 با ضرایب شکست و استهلاک موجود در بازههای مورد نیاز، در نظر گرفته شده اند. در بخش اول یک لایه ضخیم 5 میلیمتری از SiO2 در نظر گرفته شده و سعی شده با اضافه کردن پوششهای لایهنازک به یک یا دو طرف آن پوشش مناسبی جهت کاربرد به عنوان آینه حرارتی معرفی شود. در بخش 5-3-2، همین روند برای یک لایه ضخیم BaTiO3 تکرار شده است. بهینه سازی در هر مورد در 7 مرحله انجام شده است. ابتدا اثر اضافه شدن یک لایه نازک مورد بررسی قرار گرفته است (خواص محاسبه شده میانگین خواص برای دو جهت بالا به پایین و پایین به بالا است). در ادامه اثر یک لایه نازک در دوطرف مورد بررسی قرار گرفته و همین روند برای 2 و 3 لایه در یک یا دوطرف تکرار شده است. در انتها تعداد لایهها متغیر در نظر گرفته شده و پس از اتمام این 7 مرحله و حذف جوابهای تکراری، سایر نتایج ذکر شده است. برای هر یک از پوششهای بهینه در صورتیکه پوشش به کمک الگوریتم ژنتیک بدست آمده باشد، نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط تابع هدف بر حسب جمعیت و در صورتیکه پوشش به کمک روش عملیات حرارتی شبیهسازی شده بدست آمده باشد، نمودار بهترین مقدار و مقدار جاری تابع هدف در هر تکرار، رسم شده است. همچنین نمودار ضریب عبور پوشش در ناحیهی مرئی، ضریب بازتاب در بازه 0.7-2.4 μm و ضریب بازتاب در بازه 4-85 μm برای هر مورد رسم شده است. نمودارهای مربوط به S32، S34 ،S35 ، S37 ،S40 ،S42 و S43 در ادامه آمده است. سایر نمودارها در پیوست 2 آورده شده است.
لایه ضخیم SiO2
ضرایب عبور یک لایه 5 میلیمتری از SiO2 برابر است با 0.53 در صورتی که R0.7-2.4 و R4-85 به ترتیب برابر است با 0.05 و 0.13 که مقادیر بسیار پایینی است.
ساختارهای بهینه SiO2 در جدول 5-17 لیست شده است. Tvis ،R0.7-2.4 و R4-85 برای ساختارهای بهینه SiO2 در جهت نرمال، به همراه درصد تغییرات خواص نسبت به حالت بدون پوشش، در جدول 5-18 و خواص تشعشعی نیمکروی در جدول 5-19 آورده شده است.
جدول ‏5 17 – ساختارهای بهینه SiO2
پوشش ساختار
S31 BaTiO3(2790 nm)//SiO2(5 mm)//
S32 BaTiO3(4610 nm)//SiO2(5 mm)//BaTiO3(2210 nm)
S33 SiO2(110 nm)/BaTiO3(1300 nm)//SiO2(5 mm)//
S34 BaTiO3(960 nm)/Cubic-ZnS(8720 nm)/BaTiO3(3760 nm)//SiO2(5 mm)//
BaTiO3(17930 nm)/Cubic-ZnS(14450 nm)/BaTiO3(16140 nm)
S35 BaTiO3(8400 nm)//SiO2(5 mm)//Cubic-ZnS(750 nm)/BaTiO3(3050 nm)
S36 BaTiO3(9980 nm)/Cubic-ZnS(10450 nm)/BaTiO3(2200 nm)//SiO2(5 mm)//
BaTiO3(1900 nm)