پایان نامه رایگان درباره الگوریتم ژنتیک و صادر کننده

دانلود پایان نامه

لی (Lee) و همکاران [16] خواص تشعشعی ساختار های چند لایهای شامل سیلیکون و پوشش دی اکسید سیلیکون، در محدوده طول موج 1تا 5 میکرو متر را بررسی کرد. در این کار سیلیکون آلاییده کم استفاده شد و اثر پوشش دی اکسید سیلیکون بر روی یک سمت و یا هر دو سمت بررسی شد. زیر لایه سیلیکون با ضخامت 7/0 میلیمتر و پوشش دی اکسید سیلیکون با ضخامت 300 نانو متر در نظر گرفته شد. وی جهت مدل سازی خواص تشعشعی به علت ضخیم بودن زیر لایه سیلیکون از روش غیر همدوس استفاده کرد. وی نتایج شبیه سازی خود را برای دماهایºC 25 و ºC 500 ارائه داد. وی به کمک دستگاه اسپکتروفوتومتر ضریب بازتاب چند نمونه از سیلیکون پوشش داده شده با دی اکسید سیلیکون در دمای اتاق را بدست آورد و با نتایج مدل سازی به روش غیر همدوس مقایسه کرد که از تطابق خوبی برخوردار بود.
لی(Lee) و همکاران [17] خواص تشعشعی لایه های نیمه شفاف را شبیه سازی کرد. وی از روش رد یابی پرتو ها جهت شبیه سازی خواص تشعشعی استفاده کرد. وی نتنایج خود را در محدوده طول موج 5/0 میکرو متر تا 5/4 میکرومتر ارائه داد. نتایج وی نشان داد پوشش دی اکسید سیلیکون منجر به کاهش شدید ضریب بازتاب می شود. نتایج لی، در محدوده ی دمای اتاق تا دمای ºC 500 و برای سیلیکون ضخیم به ضخامت 625 میکرومتر با پوشش دی اکسید سیلیکون به ضخامت 300 نانومتر بررسی شد.
بونک (Bohnke) و همکاران [18] سطوح با ضریب بازتاب بالا و همچنین ضریب صدور بالا را بررسی کرد. وی از پوشش های آلومینیم و دی اکسید سیلیکون استفاده نمود. او نشان داد، پوشش آلومینیم منجر به حصول ضریب بازتاب بالا و پوشش دی اکسید سیلیکون منجر به ضریب صدور بالا می شود. نتایج وی نشان دادند اگر یک لایه دی اکسید سیلیکون بر روی یک لایه آلومینیم پوشش داده شود، ضریب بازتاب کمتری نسبت به حالت پوشش با یک لایه آلومینیم، بدست می آید. اگرچه پوشش دی اکسید سیلیکون بر روی لایه آلومینیم منجر به کاهش ضریب بازتاب گشت، ولی این ساختار منجر به یک سطح صادر کننده، جهت تقویت تشعشع حرارتی شد.
وی به روش رسوب بخار شیمیایی، عمل لایه نشانی را انجام داد و سپس به کمک دستگاه اسپکتروفوتومتر، ضرایب بازتاب و عبور را بدست آورد. او نتیجه گرفت، استفاده از پوشش دی اکسید سیلیکون بر روی پوشش آلومینیم ساختار مناسبی جهت حصول بازتاب مناسب، توام با صدور سطحی کافی می باشد، که میتوان از این ساختار در کاربردهای فضایی، جهت کنترل دما استفاده کرد.
لی (Lee) و همکاران [19] در سال 2005 یک برنامه به زبان VBA نوشت که خواص ساختارهای متفاوت پر کاربرد در فرآیند RTP را محاسبه میکند.
علومی [3] اثر تغییر پارامترهای مختلف ازجمله زاویه برخورد، پلاریزاسیون، دما، جنس، ضخامت و ترتیب چینش لایهها را بر خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه برای چندین چینش گوناگون محاسبه کرد. وی همچنین ساختار بهینه را برای 9 لایه شامل یک بستر سیلیکون پوشیدهشده با لایههایی از جنس دیاکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون، با استفاده از الگوریتم ژنتیک محاسبه کرد. همچنین یک مسئله بهینه سازی برای 9 لایه شامل یک بستر سیلیکون پوشیدهشده با لایههایی از جنس دیاکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون، با استفاده از الگوریتم ژنتیک توسط علومی حل شده که این بهینه سازی بر اساس تعداد لایه، جنس لایهها و ضخامت آنها بوده و در طول موج ثابت انجام شدهاست.
گرانکویست (Granqvist) و همکاران [12] در سال 1982 پوشش لایه نازک SiO/Al و Si3N4/Al بر روی شیشه را مورد بررسی تجربی قرار داد. وی با تعریف ضرایب و به صورت روابط 2-1 تا 2-3 بحث کرده که با ماکزیمم شدن ، توان خنککاری ماکزیمم خواهد شد. همچنین حداکثر افت دمای قابل دسترسی با ماکزیمم شدن بدست خواهد آمد. در این روابط تنها انتقال حرارت تشعشعی در نظر گرفته شده و از جابهجایی صرفنظر شده است.
‏2 1
‏2 2
‏2 3
در این روابط W تابع پلانک، Ta دمای هوا و ضریب بازتاب نیمکروی پوشش است. در شکل 2-1 ضریب بازتاب اندازهگیری شده، برای ساختار SiO/Al/Glass و برای 3 ضخامت متفاوت لایه SiO رسم شده است.

شکل‏2 1 – ضریب بازتاب اندازهگیری شده ساختار SiO/Al/Glass برای ضخامت 0.8 μm ، (خط چین پایین) 1 μm (خط پر رنگ) و 1.2 μm (خط چین پایین) از لایه SiO [12]
با توجه به شکل 2-1 حالت بهینه با استفاده از پوشش SiO با ضخامت 1 μm خواهد بود. برای این پوشش در دمای 0 ºC، مقدار برابر 0.45 و مقدار برابر 2.12 محاسبه شده است. همچنین با استفاده از این پوشش 14 درجه افت دما نسبت به محیط ثبت شده است.
ضریب بازتاب اندازهگیری شده برای Si3N4/Al/Glass در شکل 2-2 رسم شده است. همانطور که از شکل 2-2 دیده میشود، این پوشش در محدودهی پنجره اتمسفری ضریب بازتاب بسیار کمتری دارد و درنتیجه پوشش مناسبتری خواهد بود.
لوشیکو (Lushiku) و همکاران [20] در سال 1984 Slab های گازی NH3 ، C2H4 و C2H4O روی Al را جهت کاربرد در خنککاری تشعشعی مورد بررسی قرار داد. وی با استفاده از ضریب بازتاب اندازهگیری شده، ضریب جذب طیفی هر گاز را محاسبه کرد و به کمک آن نمودار و را برحسب ضخامت slab برای هر گاز رسم کرد (شکل 2-3).

شکل ‏2 2 – ضریب بازتاب ساختار Si3N4/Al/Glass [12]

شکل ‏2 3 – نمودار و برحسب ضخامت slab برای گازهای NH3 ، C2H4 و C2H4O [20]
با توجه به شکل 2-3 برای ضخامتهای بالاتر از 1 cm، توان خنککاری NH3 اندکی بالاتر است ولی به علت اختلاف قابل ملاحظه ، C2H4 و C2H4O جهت کاربرد در خنککاری تشعشعی مناسبتر هستند.
وی همچنین مخلوطی از این دو گاز را مورد بررسی قرار داد (شکل 2-4). محاسبات نشان میدهند که با مخلوط کردن دو گاز توان خنککاری افزایش مییابد .

شکل ‏2 4 – نمودار و برحسب درصد C2H4O در C2H4 برای مخلوطی از این دو گاز برای سه ضخامت مختلف [20]
اریکسون (Eriksson) و همکاران [21] در سال 1984 پوشش SiO0.6N0.2 و SiO بر آلومینیم را به طور تجربی بررسی کرد و توانست به 16 درجه پایینتر از محیط برسد. وی با استفاده از ضرایب عبور و بازتاب اندازهگیری شده، تابع دیالکتریک مختلط این ساختار را محاسبه کرد و به کمک آن نمودار و را برحسب ضخامت لایه SiO0.6N0.2 و SiO ، رسم کرد (شکل 2-5). با توجه به شکل 2-5 دیده میشود که در بهترین حالت و در ضخامت 1.3 μm هر دو پارامتر و به طور نسبی مقدار بالاتری دارند. مقدار این پارامترها در این حالت به ترتیب 0.83 و 1.91 است. وی توانست با انجام آزمایشی در گوتنبرگ به کمک ساختار بهینه SiO0.6N0.2/Al/Glass به دمای 16 درجه کمتر از محیط برسد.